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武汉新芯陈少民:赶上3DNAND弯道超车绝佳时间点

文章出处:开云网址 人气:发表时间:2023-10-25 21:01
本文摘要:3月28日,总投资240亿美金(大约1600亿元人民币)的光谷存储器基地项目在武汉市东湖高新区月启动。这一项目是湖北省自建国以来仅次于的单体投资项目,更加沦为国家发展集成电路产业的根本性战略部署。 据报,该基地2018年将构建3DNAND存储器的首次量产,2020年构成月生产能力30万片的生产规模,其中20万片3DNANDFlash和10万片DRAM,2030年预计超过每月生产能力100万片。

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3月28日,总投资240亿美金(大约1600亿元人民币)的光谷存储器基地项目在武汉市东湖高新区月启动。这一项目是湖北省自建国以来仅次于的单体投资项目,更加沦为国家发展集成电路产业的根本性战略部署。  据报,该基地2018年将构建3DNAND存储器的首次量产,2020年构成月生产能力30万片的生产规模,其中20万片3DNANDFlash和10万片DRAM,2030年预计超过每月生产能力100万片。

武汉新的芯商务宽陈少民先生在启动仪式后拒绝接受媒体的专访,就目前武汉新的芯的研发实力、市场空间和合作伙伴的自由选择作出详尽答案。  与竞争对手技术差距一代半  2015年,武汉新的芯与美国Spansion公司宣告合作开发与生产3DNAND存储器技术,同时签订共同开发和交叉许可协议。双方在3DNAND项目研发获得了突破性进展。

据陈少民先生透漏,去年5月,武汉新的芯在9层上面获得了重大突破,读取甩都没问题。它就像模组一样,可以填充上去,目前我们早已特了很多层,在ChannelCharge电流和可靠性上获得大幅度提高。

按照目前的既定目标和规划来看,2018年初武汉新的芯将发售具备一定市场竞争力的存储器产品,更加多细节未被透漏。    目前,以三星、东芝派的国际NANDFlash大厂已构建48层填充的3DNAND存储器,SK海力士、美光较慢发展至36/32层。

回应,陈少民先生对此称之为,武汉新的芯与竞争对手的差距只有一代半,我们有信心在三代产品后跟上国际厂商。只不过,3DNAND技术就看起来在凿隧道,做到的更深可靠性就就越较低。就只不过在较小的世界里盖房子,垫的越高就就越必须承托,这个十分难做。

当然我们的技术早已通过专家的证书。  为何自由选择Spansion公司?  Spansion公司于2014年被Cypress收购。陈少民先生回应,Spansion是由AMD和富士通正式成立的合资公司,AMD早期做到存储器,自1980年开始转型做到处理器。对武汉新的芯而言,Spansion曾多次是存储器领域十分最重要的供应商,享有一大批核心专利和存储器方面的技术人才。

  2014年,Spansion取得一项取名为电荷捕捉(ChargeTrap)的最重要专利技术。而目前享有领先3DNAND技术的存储器企业皆使用这一技术。

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Spansion还曾就电荷捕猎技术提告三星及苹果公司,后来与IBM公司达成协议交叉许可协议。武汉新的芯也于2013年获得了这一技术的共同开发,交叉许可的协议,并同时享有这一知识产权。

  当然,武汉新的芯还不会与更好公司合作。陈少民先生布道,做到3DNAND必须大量的合作伙伴,还包括整个产业链的设施,从控制器,SSD模组到整个打造出PCB测试。

我们秉持着对外开放的态度,兼容并包,期望与合作伙伴一起把这个存储器产业打造出一起。  急弯转弯的绝佳时间点  2006年武汉新的芯正式成立,2008年NORFlash构建量产。陈少民先生认为,2013年杨士宁博士带着国际团队重新加入武汉新的芯,用国际的视野和管理方式管理公司,于2013年积极开展了3DNAND的项目,不仅跟上了绝佳时间点,更于2015年获得了技术突破。

无论从市场、人才、布局和管理来看,武汉新的芯享有了急弯转弯的转折点,这也是存储基地项目落地的根本原因之一。


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